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電子ハナ、韓国でＳｉＣ半導体生産に投資
電子部品大手ハナ・マイクロエレクトロニクスは15日、韓国の現地法人パワー・マスター・セミコンダクターの生産設備に6,000万～6,500万ドル（約20億～21億7,000万バーツ）を投資すると発表した。
炭化ケイ素（ＳｉＣ、シリコンカーバイド）を使ったパワー半導体の新製品の開発に成功。韓国と中国、日本の大手メーカーからの受注が決まり、生産体制を整える。来年末～再来年初頭の生産開始を目指している。家電や通信機器、電気自動車（ＥＶ）、発電設備などに使われる見込み。
また、ＥＶのインバーターに利用されるＳｉＣを使ったＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）も投入する予定。来年第３四半期に生産を開始し、中国と韓国のメーカーに供給する。
(2021年10月18日 9:06)
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